Викладені як загальні, так і конкретні відомості про творчий виконавчий процес, про закономірності формування ігрових навиків домриста на основі сучасних даних фізіології, психології та музичної педагогіки.

Установлено, что, используя метод термического испарения в вакууме кристаллов висмута, легированного теллуром, на подложки из слюды, можно не только реализовать донорное действие теллура в тонкопленочном состоянии, но и осуществить более глубокое легирование висмута, чем в объемном кристалле. Показано, что подвижность носителей заряда (электронов) в пленках уменьшается по сравнению с объемным кристаллом, что естественно связать как с ростом концентрации электронов, так и с увеличением вклада поверхностного рассеяния в тонкопленочном состоянии. На основании анализа магнитополевых зависимостей коэффициента Холла и магнитосопротивления установлено, что для пленок Bi, легированного Te, и для кристаллов Bi с содержанием 0,5 ат. % Te в интервале значений магнитной индукции 0,1 - 1,0 Тл магнитное поле можно считать слабым. Полученные результаты можно использовать при изготовлении низкоразмерных структур на основе висмута с контролируемой концентрацией электронов.

Індекс рубрикатора НБУВ: К204.2 + В379.223

Рубрики:

Природа сплавів

Тверді розчини напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ